SKY-P42R05（8”x2)
碳化硅外延設備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長的專用設備，這一過程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導體器件的關鍵步驟。納設智能全自動雙腔設備采用創(chuàng)新的雙反應腔協(xié)同設計，通過模塊化腔體結構和智能控制系統(tǒng)，實現(xiàn)雙腔同步運行與工藝參數(shù)獨立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
<strong>智能制造</strong> 兼容AGV&天車，可實現(xiàn)全自動化配套； 配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿足不同產(chǎn)品規(guī)格。 <strong>自主安全</strong> 通過SEMI認證，符合行業(yè)標準和規(guī)范； 具備自主知識產(chǎn)權，具有獨特的技術優(yōu)勢。
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SKY-P42R05（8”x2)
碳化硅外延設備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長的專用設備，這一過程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導體器件的關鍵步驟。納設智能全自動雙腔設備采用創(chuàng)新的雙反應腔協(xié)同設計，通過模塊化腔體結構和智能控制系統(tǒng)，實現(xiàn)雙腔同步運行與工藝參數(shù)獨立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
智能制造
兼容AGV&天車，可實現(xiàn)全自動化配套；
配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿足不同產(chǎn)品規(guī)格。
自主安全
通過SEMI認證，符合行業(yè)標準和規(guī)范；
具備自主知識產(chǎn)權，具有獨特的技術優(yōu)勢。
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碳化硅外延設備是用于碳化硅芯片生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)—外延層生長的專用設備，這一過程是制造電力電子器件，如二極管、功率半導體器件的關鍵步驟。納設智能全自動雙腔設備采用創(chuàng)新的雙反應腔協(xié)同設計，通過模塊化腔體結構和智能控制系統(tǒng)，實現(xiàn)雙腔同步運行與工藝參數(shù)獨立調(diào)控，為規(guī)?；慨a(chǎn)提供了更優(yōu)解決方案。
<strong>智能制造</strong> 兼容AGV&天車，可實現(xiàn)全自動化配套； 配置NH3、N2、TMAL模塊，可自由組合，滿足不同產(chǎn)品規(guī)格。 <strong>自主安全</strong> 通過SEMI認證，符合行業(yè)標準和規(guī)范； 具備自主知識產(chǎn)權，具有獨特的技術優(yōu)勢。
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納設智能碳化硅外延單腔系統(tǒng)采用水平熱壁的技術路線實現(xiàn)外延生長，獨創(chuàng)的反應腔室設計配備可獨立控制的多區(qū)進氣系統(tǒng)，顯著提升了外延片的均勻性，同時降低外延缺陷率。
<strong>反應腔室</strong> 石墨腔室配件數(shù)量少，結構更簡化；? 腔室進氣/傳片方式獨特，減少外延掉落物。 <strong>尾氣系統(tǒng)</strong> 維護僅打磨平板石墨件，方便配件的清理操作；? 維護無需分離傳輸腔，只打開腔室后端法蘭，維護簡易。 <strong>氣體系統(tǒng)</strong> 5區(qū)進氣，乙烯/三氯氫硅每區(qū)獨立控制；? 各區(qū)碳硅比獨立控制，調(diào)整更靈活。 <strong>晶圓控制</strong> 工藝中晶圓轉速可精確調(diào)控；? 工藝中晶圓高度位置精確調(diào)控。
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納設智能的6英寸碳化硅外延設備，采用水平熱壁技術路線實現(xiàn)單片式生長，兼容6英寸、4英寸外延片，設備性能可靠，已穩(wěn)定量產(chǎn)。
<strong>精確：氣路獨立可控</strong> ● 精湛：工藝指標優(yōu)異 ● 低耗：耗材成本更低? ● 省時：維護頻次更低? ● 進階：NP型靈活切換
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通過物理分隔反應區(qū)實現(xiàn)空間交替：基板在移動中依次經(jīng)過前驅體A區(qū)、惰性氣體吹掃區(qū)、前驅體B區(qū)，單次循環(huán)即可完成原子層沉積。
薄膜性能：片內(nèi)/片間/批次間不均勻性＜±5%，折射率不均勻性＜±3%（不均勻性=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)） 產(chǎn)品特色：A源B源氣路獨立，工藝距離可調(diào)，源瓶壓力可控，自動傳片及取片，可擴展腔體及氣路數(shù)量，支持客戶定制
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